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パチンコ 競艇 米IBMと日立製作所は3月10日、32ナノメートル(nm)以降の半導体の特性評価に関する基礎研究を、2年間にわたり共同で行うことで同意したと発表した。両社は現在、企業向けサーバ製品などで協業しているが、半導体技術分野での協業は今回が初となる。

 CPUの性能向上の鍵を握るトランジスタの微細化は、次世代の32nmプロセス、その次の世代の22nmプロセスの開発が進められている。微細化が進んだトランジスタでは、素子内のわずかなばらつきが、デバイスの特性に大きな影響を与えてしまう。

 今回の共同研究は、32nm以降の半導体に関する基礎研究に焦点を当てたもの。半導体素子および半導体構造を分析する新たな評価方法を用い、微細化によって発生するトランジスタのばらつきの特性評価や計測の方法を向上させ、デバイス物理学の理解を深めていくのが目的という。両社および日立の子会社である日立ハイテクノロジーズの技術者は、米ニューヨーク州ヨークタウンハイツにあるIBMのThomas J. Watson Research Centerおよび同州アルバニーにあるニューヨーク州立大学アルバニー校の研究施設で共同研究を行う。

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